NVMFD5C478NLT1G Preise (USD) [259205Stück Lager]
- 1 pcs$0.14270
- Artikelnummer:
- NVMFD5C478NLT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NVMFD5C478NLT1G elektronische Komponenten. NVMFD5C478NLT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NVMFD5C478NLT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NVMFD5C478NLT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NVMFD5C478NLT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10.5A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
420pF @ 25V
Leistung max :
3.1W (Ta), 23W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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