DMN1033UCB4-7 Preise (USD) [325745Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN1033UCB4-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN1033UCB4-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN1033UCB4-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1.45W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
4-UFBGA, WLBGA
Supplier Device Package :
U-WLB1818-4
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