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- Artikelnummer:
- FDB3632
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDB3632 elektronische Komponenten. FDB3632 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDB3632 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDB3632 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDB3632
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
310W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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