Vishay Siliconix - IRLD110PBF

KEY Part #: K6408905

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Artikelnummer:
IRLD110PBF
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLD110PBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRLD110PBF
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paket / fall : 4-DIP (0.300", 7.62mm)