RDD022N60TL Preise (USD) [189774Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RDD022N60TL
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V CPT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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RDD022N60TL Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RDD022N60TL
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V CPT
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.7V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
175pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
20W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
CPT3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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