DMN3020UFDF-13 Preise (USD) [586708Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN3020UFDF-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN3020UFDF-13 elektronische Komponenten. DMN3020UFDF-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN3020UFDF-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN3020UFDF-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3020UFDF-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 8V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1304pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.03W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
U-DFN2020-6 (Type F)
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
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