DMN3190LDW-13 Preise (USD) [1192875Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN3190LDW-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMN3190LDW-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3190LDW-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
87pF @ 20V
Leistung max :
320mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SOT-363
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