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- Artikelnummer:
- EPC2110ENGRT
- Hersteller:
- EPC
- Detaillierte Beschreibung:
- GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
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EPC2110ENGRT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EPC2110ENGRT
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
80pF @ 60V
Leistung max :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Die
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