IXFH11N80 Preise (USD) [9504Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFH11N80
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFH11N80 elektronische Komponenten. IXFH11N80 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFH11N80 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFH11N80 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFH11N80
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247AD (IXFH)
Paket / fall :
TO-247-3
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