Vishay Siliconix - SI3529DV-T1-E3

KEY Part #: K6524061

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    Artikelnummer:
    SI3529DV-T1-E3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI3529DV-T1-E3 elektronische Komponenten. SI3529DV-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI3529DV-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3529DV-T1-E3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SI3529DV-T1-E3
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
    Serie : TrenchFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N and P-Channel
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A, 1.95A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 205pF @ 20V
    Leistung max : 1.4W
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    Supplier Device Package : 6-TSOP

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