Artikelnummer :
SI4108DY-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.8 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2100pF @ 38V
Verlustleistung (max.) :
3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)