Vishay Siliconix - SI4108DY-T1-GE3

KEY Part #: K6407808

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    Artikelnummer:
    SI4108DY-T1-GE3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4108DY-T1-GE3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SI4108DY-T1-GE3
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
    Serie : TrenchFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 75V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20.5A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.8 mOhm @ 13.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 38V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 8-SO
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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