ZXMC3F31DN8TA Preise (USD) [216484Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMC3F31DN8TA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMC3F31DN8TA elektronische Komponenten. ZXMC3F31DN8TA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMC3F31DN8TA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMC3F31DN8TA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMC3F31DN8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.8A, 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
608pF @ 15V
Leistung max :
1.8W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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