Wenn Ihr Standort nicht aufgeführt ist, wählen Sie eine der folgenden Möglichkeiten:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Wenn Ihr Standort nicht aufgeführt ist, wählen Sie eine der folgenden Möglichkeiten:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Zuhause
  2. Produkte
  3. Diskrete Halbleiterprodukte
  4. Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  5. ALD212914PAL

Advanced Linear Devices Inc. - ALD212914PAL

KEY Part #: K6521912

ALD212914PAL Preise (USD) [17463Stück Lager]

  • 1 pcs$2.35995
  • 50 pcs$1.26692
Artikelnummer:
ALD212914PAL
Hersteller:
Advanced Linear Devices Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Advanced Linear Devices Inc. ALD212914PAL elektronische Komponenten. ALD212914PAL kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ALD212914PAL haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD212914PAL Produkteigenschaften

Artikelnummer : ALD212914PAL
Hersteller : Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Serie : EPAD®, Zero Threshold™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 10.6V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 20mV @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 500mW
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package : 8-PDIP

Neuesten Nachrichten

Advanced Energy Thyro-A Thyristor Power Controllers
Sie könnten auch interessiert sein an
  • J107

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 625MW TO92.

  • PF5102

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 40V 0.625W TO92.

  • J105

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 625MW TO92.

  • J109

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 625MW TO92.

  • J112

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 35V 625MW TO92.

  • J113-D74Z

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 35V 625MW TO92.

Heiße Teile