Artikelnummer :
RP1E100RPTR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 10A MPT6
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3600pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
MPT6
Paket / fall :
6-SMD, Flat Leads