ZXMHC10A07N8TC Preise (USD) [153564Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMHC10A07N8TC
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - TRIACs, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8TC elektronische Komponenten. ZXMHC10A07N8TC kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMHC10A07N8TC haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMHC10A07N8TC Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMHC10A07N8TC
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
800mA, 680mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
138pF @ 60V
Leistung max :
870mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP
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