FDV303N Preise (USD) [1235584Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDV303N
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDV303N elektronische Komponenten. FDV303N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDV303N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDV303N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDV303N
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
680mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
350mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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