Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
100W (Tc)
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB