SIZ328DT-T1-GE3 Preise (USD) [229895Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIZ328DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIZ328DT-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIZ328DT-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIZ328DT-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIZ328DT-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIZ328DT-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Leistung max :
2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Supplier Device Package :
8-Power33 (3x3)
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