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- Artikelnummer:
- NTJS3151PT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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NTJS3151PT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTJS3151PT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 12V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
625mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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