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- Artikelnummer:
- SI7960DP-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI7960DP-T1-E3 elektronische Komponenten. SI7960DP-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI7960DP-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI7960DP-T1-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI7960DP-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
75nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8 Dual
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