Vishay Siliconix - IRCZ34PBF

KEY Part #: K6412007

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    Artikelnummer:
    IRCZ34PBF
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 60V 30A TO-220-5.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRCZ34PBF elektronische Komponenten. IRCZ34PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRCZ34PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRCZ34PBF Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRCZ34PBF
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 30A TO-220-5
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 18A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V
    FET-Funktion : Current Sensing
    Verlustleistung (max.) : 88W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220-5
    Paket / fall : TO-220-5

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