NXP USA Inc. - 2N7000,126

KEY Part #: K6412094

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    Artikelnummer:
    2N7000,126
    Hersteller:
    NXP USA Inc.
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - IGBTs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf NXP USA Inc. 2N7000,126 elektronische Komponenten. 2N7000,126 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 2N7000,126 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2N7000,126 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : 2N7000,126
    Hersteller : NXP USA Inc.
    Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
    Serie : TrenchMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300mA (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 830mW (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-92-3
    Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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