DMN2016LHAB-7 Preise (USD) [357033Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN2016LHAB-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN2016LHAB-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN2016LHAB-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.5 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1550pF @ 10V
Leistung max :
1.2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
U-DFN2030-6
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