Artikelnummer :
APTMC120TAM34CT3AG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
POWER MODULE - SIC MOSFET
FET-Typ :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 15mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
161nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2788pF @ 1000V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SP3