IPB60R165CPATMA1 Preise (USD) [37895Stück Lager]
- 1 pcs$1.03181
- Artikelnummer:
- IPB60R165CPATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB60R165CPATMA1 elektronische Komponenten. IPB60R165CPATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB60R165CPATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB60R165CPATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB60R165CPATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 790µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
192W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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