ZXMN2A04DN8TA Preise (USD) [78358Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMN2A04DN8TA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TA elektronische Komponenten. ZXMN2A04DN8TA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMN2A04DN8TA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMN2A04DN8TA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN2A04DN8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1880pF @ 10V
Leistung max :
1.8W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP
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