Artikelnummer :
IPG20N04S4L07AATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 30µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3980pF @ 25V
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8-10