Infineon Technologies - IPG20N04S4L07AATMA1

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Artikelnummer:
IPG20N04S4L07AATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N04S4L07AATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPG20N04S4L07AATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 30µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3980pF @ 25V
Leistung max : 65W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : PG-TDSON-8-10

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