IXTX32P60P Preise (USD) [6044Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTX32P60P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTX32P60P elektronische Komponenten. IXTX32P60P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTX32P60P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTX32P60P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTX32P60P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
Serie :
PolarP™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
196nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
11100pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
890W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
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