Artikelnummer :
IRFD113PBF
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
800mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
200pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
1W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
4-HVMDIP
Paket / fall :
4-DIP (0.300", 7.62mm)