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- Artikelnummer:
- FDD3N50NZTM
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 500V DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD3N50NZTM elektronische Komponenten. FDD3N50NZTM kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD3N50NZTM haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDD3N50NZTM Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD3N50NZTM
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V DPAK
Serie :
UniFET-II™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
40W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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