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- Artikelnummer:
- APTMC120HR11CT3AG
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- POWER MODULE - SIC MOSFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTMC120HR11CT3AG elektronische Komponenten. APTMC120HR11CT3AG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTMC120HR11CT3AG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
APTMC120HR11CT3AG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTMC120HR11CT3AG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
POWER MODULE - SIC MOSFET
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
950pF @ 1000V
Leistung max :
125W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
SP3
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