AUIRF9952QTR Preise (USD) [146579Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- AUIRF9952QTR
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Arrays and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies AUIRF9952QTR elektronische Komponenten. AUIRF9952QTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AUIRF9952QTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
AUIRF9952QTR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
AUIRF9952QTR
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.5A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
190pF @ 15V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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