APTM60H23FT1G Preise (USD) [2511Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APTM60H23FT1G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APTM60H23FT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTM60H23FT1G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
165nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5316pF @ 25V
Leistung max :
208W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP1
Supplier Device Package :
SP1
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