ZXMHC3F381N8TC Preise (USD) [179158Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMHC3F381N8TC
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - Thyristoren and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMHC3F381N8TC elektronische Komponenten. ZXMHC3F381N8TC kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMHC3F381N8TC haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMHC3F381N8TC Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMHC3F381N8TC
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.98A, 3.36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
430pF @ 15V
Leistung max :
870mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP
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