DMTH6016LSDQ-13 Preise (USD) [165377Stück Lager]
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- 2,500 pcs$0.19795
- Artikelnummer:
- DMTH6016LSDQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - JFETs, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMTH6016LSDQ-13 elektronische Komponenten. DMTH6016LSDQ-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMTH6016LSDQ-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMTH6016LSDQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMTH6016LSDQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
864pF @ 30V
Leistung max :
1.4W, 1.9W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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