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- Artikelnummer:
- EPC2007C
- Hersteller:
- EPC
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf EPC EPC2007C elektronische Komponenten. EPC2007C kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EPC2007C haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
EPC2007C Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EPC2007C
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.2nC @ 5V
Vgs (Max) :
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
220pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Die Outline (5-Solder Bar)
Paket / fall :
Die
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