Infineon Technologies - IRL3302PBF

KEY Part #: K6412063

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    Artikelnummer:
    IRL3302PBF
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRL3302PBF elektronische Komponenten. IRL3302PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRL3302PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRL3302PBF Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRL3302PBF
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 39A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 7V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 23A, 7V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 15V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 57W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220AB
    Paket / fall : TO-220-3

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