Nexperia USA Inc. - BUK9K89-100E,115

KEY Part #: K6522874

BUK9K89-100E,115 Preise (USD) [218492Stück Lager]

  • 1 pcs$0.17013
  • 1,500 pcs$0.16929

Artikelnummer:
BUK9K89-100E,115
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. BUK9K89-100E,115 elektronische Komponenten. BUK9K89-100E,115 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUK9K89-100E,115 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK9K89-100E,115 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BUK9K89-100E,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1108pF @ 25V
Leistung max : 38W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-1205, 8-LFPAK56
Supplier Device Package : LFPAK56D