CSD87312Q3E Preise (USD) [216885Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- CSD87312Q3E
- Hersteller:
- Texas Instruments
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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CSD87312Q3E Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CSD87312Q3E
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 7A , 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1250pF @ 15V
Leistung max :
2.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
8-VSON (3.3x3.3)
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