DMG6601LVT-7 Preise (USD) [953326Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMG6601LVT-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMG6601LVT-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMG6601LVT-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.8A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
422pF @ 15V
Leistung max :
850mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
TSOT-26
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