Diodes Incorporated - DMG6601LVT-7

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Artikelnummer:
DMG6601LVT-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG6601LVT-7 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMG6601LVT-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.8A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 422pF @ 15V
Leistung max : 850mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package : TSOT-26

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