SI4966DY-T1-E3 Preise (USD) [4035Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI4966DY-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI4966DY-T1-E3 elektronische Komponenten. SI4966DY-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4966DY-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI4966DY-T1-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI4966DY-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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