IRF7902TRPBF Preise (USD) [183995Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRF7902TRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7902TRPBF elektronische Komponenten. IRF7902TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7902TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF7902TRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF7902TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.4A, 9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.25V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
580pF @ 15V
Leistung max :
1.4W, 2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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