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- Artikelnummer:
- IPD60R650CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V TO-252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IPD60R650CEATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD60R650CEATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Serie :
CoolMOS™ CE
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
63W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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