IXYS - IXFH15N100

KEY Part #: K6407053

IXFH15N100 Preise (USD) [1106Stück Lager]

  • 30 pcs$8.30913

Artikelnummer:
IXFH15N100
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFH15N100 elektronische Komponenten. IXFH15N100 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFH15N100 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH15N100 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFH15N100
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247AD (IXFH)
Paket / fall : TO-247-3