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ON Semiconductor - NTMSD6N303R2SG

KEY Part #: K6413340

[13133Stück Lager]

    Artikelnummer:
    NTMSD6N303R2SG
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTMSD6N303R2SG Produkteigenschaften

    Artikelnummer : NTMSD6N303R2SG
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
    Serie : FETKY™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 24V
    FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
    Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
    Betriebstemperatur : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 8-SOIC
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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