Diodes Incorporated - DMG6301UDW-7

KEY Part #: K6522168

DMG6301UDW-7 Preise (USD) [1073477Stück Lager]

  • 1 pcs$0.03446
  • 3,000 pcs$0.03158

Artikelnummer:
DMG6301UDW-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMG6301UDW-7 elektronische Komponenten. DMG6301UDW-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMG6301UDW-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG6301UDW-7 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMG6301UDW-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 240mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.36nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 27.9pF @ 10V
Leistung max : 300mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SOT-363