Taiwan Semiconductor Corporation - TSM210N02CX RFG

KEY Part #: K6417183

TSM210N02CX RFG Preise (USD) [891189Stück Lager]

  • 1 pcs$0.04150

Artikelnummer:
TSM210N02CX RFG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Thyristoren - TRIACs and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N02CX RFG elektronische Komponenten. TSM210N02CX RFG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TSM210N02CX RFG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM210N02CX RFG Produkteigenschaften

Artikelnummer : TSM210N02CX RFG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.56W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3