Vishay Siliconix - SQM120P04-04L_GE3

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Artikelnummer:
SQM120P04-04L_GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 120A TO-263.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM120P04-04L_GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SQM120P04-04L_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 330nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13980pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (D2Pak)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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