Artikelnummer :
SI5519DU-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
FET-Typ :
N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
660pF @ 10V
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® ChipFet Dual