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- Artikelnummer:
- SI7792DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI7792DP-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI7792DP-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI7792DP-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI7792DP-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI7792DP-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
Serie :
SkyFET®, TrenchFET® Gen III
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40.6A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
135nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4.735nF @ 15V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.) :
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8
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